Thermal stability of defects in p-type as-grown 6H-SiC
Thermal stability of defects in p-type as-grown 6H-SiC
复制标题
p 型生长的 6H-SiC 缺陷的热稳定性
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Alfieri and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao;H. B.;Guan;G;Matsuda;M.;Paul-Prasanth Bindhu & Nagahama;Y.;G. Alfieri and T. Kimoto;G. Alfieri and T. Kimoto;G. Alfieri and T. Kimoto
登录
查看更多内容
与 n 型和 p 型 4H-SiC 中碳置换相关的深层缺陷
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.489
发表时间：
2006
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
L. Storasta;I. Kamata;Tomonori Nakamura;H. Tsuchida
通讯作者：
H. Tsuchida
原生 P 型 4H-SiC 外延层的高温深能级瞬态光谱
影响因子：
1.5
作者：
K. Danno;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto
影响因子：
2.7
作者：
SUTTROP, W;PENSL, G;LANIG, P
通讯作者：
LANIG, P
SiC 中亚稳态碳簇的电学表征 - 理论研究
DOI：
10.1103/physrevb.73.033204
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
Á. Gali;N. T. Son;E. Janzén
通讯作者：
E. Janzén