Solid-Phase crystallization of high-quality Si films on SiO_2 by local Ge-Insertion
Solid-Phase crystallization of high-quality Si films on SiO_2 by local Ge-Insertion
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局部Ge插入在SiO_2上固相结晶高质量Si薄膜
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I.Tsunoda 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他
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离子束刺激在 SiO2 上低温固相结晶 a-Si1−xGex
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00770-x
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
I. Tsunoda;T. Nagata;A. Kenjo;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao
离子注入硅损伤的光学反射率研究
影响因子：
1.5
作者：
M. Miyao;T. Miyazaki;T. Tokuyama
通讯作者：
T. Tokuyama
SiGe异质结构的成核控制和固相结晶增强
DOI：
10.1557/proc-638-f14.12.1
发表时间：
2000
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
S. Yamaguchi;Seong;N. Sugii
通讯作者：
N. Sugii
固相晶化SiGe薄膜成核位置及其对微观结构的影响
影响因子：
3.2
作者：
A. Rodríguez;T. Rodríguez;J. Olivares;J. Sangrador;P. Martin;O. Martinez;J. Jiménez;C. Ballesteros
通讯作者：
C. Ballesteros
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影响因子：
3.2
作者：
C. Hwang;M. Ryu;Ki;Seung;Changsoo Kim
通讯作者：
Changsoo Kim