Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE
Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE
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通过气源 MBE 在 Si(110) 衬底上生长的 SiGe/渐变缓冲结构的晶格结构的生长温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Arimoto;J.Yamanaka;K.Nakagawa;K.Sawano;Y.Shiraki;N.Usami;et al.
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