InAs FinFETs Performance Enhancement by Superacid Surface Treatment
InAs FinFETs Performance Enhancement by Superacid Surface Treatment
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通过超酸表面处理增强 InAs FinFET 性能
DOI：
10.1109/ted.2019.2901281
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Addamane, Sadhvikas
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zeng, Yuping;Khandelwal, Sourabh;Shariar, Kazy F.;Wang, Zijian;Lin, Guangyang;Cheng, Qi;Cui, Peng;Opila, Robert;Balakrishnan, Ganesh;Addamane, Sadhvikas
本文提出了一种后超强酸（SA）处理方法来提高在SiO2/Si衬底上的InAs finfet的性能。经SA处理后，亚阈值摆幅（SS）从217 mV/ 10年降低到170 mV/ 10年，跨导（）从6.44增加到26.5。研究发现，由于SA溶液的强质子化性质，经过SA处理后，InAs/ zro2界面上的in2o3被有效地还原。结果，界面陷阱密度降低，导致SA处理后片材电阻显著降低。迁移特性建模表明，由于界面陷阱的减少，SA处理后载流子迁移率提高了5.8~7.1倍。结果表明，SA处理可以潜在地扩展到其他III-V型mosfet，以提高器件性能。
In this paper, a post superacid (SA) treatment was proposed to enhance the performance of InAs FinFETs on SiO2/Si substrates. Typically, the subthreshold swing (SS) has reduced from 217 to 170 mV/decade and the transconductance () has increased from 6.44 to 26.5after SA treatment. It was found that the interfacial In2O3at the InAs/ZrO2interface was effectively reduced after SA treatment due to the strong protonating nature of the SA solution. As a result, the interface trap density was reduced leading to a pronounced reduction of sheet resistance after SA treatment. The modeling of transfer characteristics indicates that the carrier mobility is enhanced by 5.8~7.1 folds after SA treatment due to interfacial traps reduction. The results suggest that SA treatment can be potentially extended to other III–V MOSFETs to enhance the device performances.
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