Strong enhancement of terahertz emission from GaAs in InAs/GaAs quantum dot structure
Strong enhancement of terahertz emission from GaAs in InAs/GaAs quantum dot structure
复制标题
InAs/GaAs量子点结构中GaAs太赫兹发射的强烈增强
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
(他9名)
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E.Estacio;M.H.Pham;S.Takatori;N.Sarukura(7番目);(他9名)
登录
查看更多内容
未掺杂GaAs∕n型GaAs外延层结构增强太赫兹电磁波发射
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Takeuchi;J. Yanagisawa;T. Hasegawa;M. Nakayama
通讯作者：
M. Nakayama
影响因子：
3.2
作者：
R. Mendis;M. L. Smith;L. Bignell;R. Vickers;R. Lewis
通讯作者：
R. Mendis;M. L. Smith;L. Bignell;R. Vickers;R. Lewis
影响因子：
5.6
作者：
P. Kleinschmidt;S. Giblin;V. Antonov;H. Hashiba;L. Kulik;A. Tzalenchuk;S. Komiyama
通讯作者：
S. Komiyama
专为高温操作而设计的 GaAs 和 InAs 量子点太赫兹探测器的光谱模拟
影响因子：
3.2
作者：
I. Vurgaftman;J. Meyer;Dong Wu;K. Bussmann;B. Jonker
通讯作者：
B. Jonker
使用太赫兹激光发射显微镜对大规模集成电路进行成像
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
OPTICS EXPRESS 13・1
影响因子：
--
作者：
Li;ZE;Yeong;Hee;CHO;Yusuke;KAWAKAMI;M.Yamashita
通讯作者：
M.Yamashita