Characterization and Fabrication of the CFM-JTE for 4H-SiC Power Device with High-Efficiency Protection and Increased JTE Dose Tolerance Window.
Characterization and Fabrication of the CFM-JTE for 4H-SiC Power Device with High-Efficiency Protection and Increased JTE Dose Tolerance Window.
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具有高效率保护的4H-SIC电源设备的CFM-JTE的表征和制造，并增加了JTE剂量耐受性窗口。
DOI：
10.1186/s11671-020-03443-5
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发表时间：
2020-11-10
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wen Y;Xu XJ;Tao ML;Lu XF;Deng XC;Li X;Li JT;Li ZQ;Zhang B
本文制作了一个13.5 kV的4H-SiC引脚整流器，其有效面积为0.1 cm2。为了满足超高反向电压的要求，提出了电荷场调制结端扩展（CFM-JTE），它扩大了JTE的剂量容限窗口，约为传统双区JTE的2.8倍。此外，CFM-JTE可以通过传统的两区JTE工艺实现。在没有载波寿命增强技术的情况下，测量的正向电流高达100 A @ VF = 5.2 V。CFM-JTE结构在相对较小的400 μm端面积下实现了96%的平行平面结理论击穿电压，从而实现了58.8 GW/cm2的Baliga优值。
A 13.5 kV 4H-SiC PiN rectifier with a considerable active area of 0.1 cm2 is fabricated in this paper. Charge-field-modulated junction termination extension (CFM-JTE) has been proposed for satisfying the requirement of ultra-high reverse voltage, which enlarges the JTE dose tolerance window, making it approximately 2.8 times that of the conventional two-zone JTE. Besides, the CFM-JTE can be implemented through the conventional two-zone JTE process. The measured forward current is up to 100 A @ VF = 5.2 V in the absence of carrier lifetime enhancement technology. The CFM-JTE structure accomplishes 96% of the theoretical breakdown voltage of the parallel plane junction with a relatively small terminal area of 400 μm, which contributes to achieving the Baliga’s figure of merit of 58.8 GW/cm2.
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影响因子：
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作者：
Kaji, Naoki;Niwa, Hiroki;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
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3.1
作者：
Sung, Woongje;Baliga, B. Jayant;Huang, Alex Q.
通讯作者：
Huang, Alex Q.
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1.7
作者：
CHEN, XB;ZHANG, B;LI, ZJ
通讯作者：
LI, ZJ
用于超高压 4H-SiC 器件的多区梯度调制保护环技术，提高了对注入剂量和表面电荷的耐受性
DOI：
10.1109/jestpe.2019.2910610
发表时间：
2019-09-01
影响因子：
5.5
作者：
Deng, Xiaochuan;Gao, Shufeng;Zhang, Bo
通讯作者：
Zhang, Bo
影响因子：
--
作者：
Kang, Min-Seok;Ahn, Jung-Joon;Koo, Sang-Mo
通讯作者：
Koo, Sang-Mo