Ge/SiGe quantum confined Stark effect modulators with low voltage swing at λ= 1550 nm
Ge/SiGe quantum confined Stark effect modulators with low voltage swing at λ= 1550 nm
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Ge/SiGe 量子限制斯塔克效应调制器，具有低电压摆幅
DOI：
10.1109/group4.2014.6961946
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Dumas D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dumas D
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影响因子：
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作者：
Edwards, Elizabeth H.;Lever, Leon;Miller, David A. B.
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Miller, David A. B.
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4
作者：
Gallacher, K.;Velha, P.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.
影响因子：
3.8
作者：
Edwards, Elizabeth H.;Audet, Ross M.;Miller, David A. B.
通讯作者：
Miller, David A. B.
Ge/Si(0.35)Ge(0.65) 量子阱结构中 1.3 μm 处的量子限制斯塔克效应。
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M. Rouifed;P. Chaisakul;D. Marris‐Morini;J. Frigerio;G. Isella;D. Chrastina;S. Edmond;X. Le roux;J. Coudevylle;L. Vivien
通讯作者：
L. Vivien