Experimentally Validated Physical Modelling of Asymmetric Spacer Layer Tunnel Diodes for THz Applications
Experimentally Validated Physical Modelling of Asymmetric Spacer Layer Tunnel Diodes for THz Applications
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经过实验验证的太赫兹应用非对称间隔层隧道二极管的物理模型
DOI：
10.1109/ucmmt47867.2019.9008347
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hadfield A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hadfield A
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半导体异质结构中隧道效应的多能带紧束缚方法：在 GaAs 中 Gamma X 传输中的应用。
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Stovneng Ja;P. Lipavsk
通讯作者：
P. Lipavsk
GaAs/AlAs 隧道结构：ASPAT 探测器的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
UK, Europe, China Millimeter Waves and THz Technology Workshop
影响因子：
--
作者：
M. Abdullah;Y. Wang;J. Sexton;M. Missous;M. Kelly
通讯作者：
M. Kelly
作为微波探测器的新型 GaAs/AlAs 隧道结构
DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
Other Conferences
影响因子：
--
作者：
R. T. Syme;M. Kelly;M. Robinson;R. Smith;I. Dale
通讯作者：
I. Dale
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DOI：
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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作者：
Wai;C. Fonstad
通讯作者：
C. Fonstad
用于低成本设备制造的极其均匀的隧道屏障
影响因子：
4.9
作者：
M. Missous;M. Kelly;J. Sexton
通讯作者：
J. Sexton