Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application
Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application
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绿光激光退火结晶在三维器件中的应用
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Kimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yamashita;Y.Sugawara;Y.Uraoka;T.Fuyuki;M.Kimura
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论CMOS器件尺寸缩小，更多摩尔，超过摩尔，超越摩尔为了更多摩尔
DOI：
10.1109/miel52794.2021.9569101
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE 32nd International Conference on Microelectronics (MIEL)
影响因子：
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作者：
H. Wong
通讯作者：
H. Wong
使用脉冲绿光激光重掺杂 n 型 SiGe 源极/漏极的低温混合掺杂剂激活技术
影响因子：
4.9
作者：
Seung‐Geun Kim;Gwang;Seung;Hyun‐Yong Yu
通讯作者：
Hyun‐Yong Yu
DOI：
10.1109/iwjt.2010.5474997
发表时间：
2010
期刊：
2010 International Workshop on Junction Technology Extended Abstracts
影响因子：
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作者：
J. Lu;Yonggen He;Yong Chen
通讯作者：
Yong Chen
硅-锗源极/漏极上的非晶锗激光退火可增强 pMOSFET 的应变和性能
影响因子：
4.9
作者：
Fangyue Liu;Hoong;K. Ang;M. Zhu;Xincai Wang;D. Lai;P. Lim;Y. Yeo
通讯作者：
Y. Yeo
使用先进的 TCAD 进行工艺和器件仿真，分析 28nm 高 K/金属栅 CMOS 技术的 USJ 形成以及结合 RTA/激光退火条件
DOI：
10.1016/j.sse.2013.01.023
发表时间：
2012
期刊：
2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
影响因子：
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作者：
E. Bazizi;S. Pandey;C. Wang;I. Jiang;S. Chu;F. Benistant;T. Herrmann;J. Faul;D. Franke;M. Wiatr;M. Horstmann
通讯作者：
M. Horstmann