Positron annihilation study on defects in HfSiON films deposited by electron-beam evaporation
Positron annihilation study on defects in HfSiON films deposited by electron-beam evaporation
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电子束蒸发HfSiON薄膜缺陷的正电子湮没研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.Yuan;et al.
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具有稀土氧化物层的铪基栅极电介质叠层的高温稳定性，用于阈值电压控制
影响因子：
4
作者：
J. Lebeau;J. Jur;D. Lichtenwalner;H. S. Craft;J. Maria;A. Kingon;Dmitri O. Klenov;J. Cagnon;S. Stemmer
通讯作者：
S. Stemmer
使用单能正电子束研究 HfSiOx 和 HfAlOx 栅极电介质中开放体积的退火特性
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Appl.Phys. 98
影响因子：
--
作者：
A.Uedono;K.Ikeuchi;K.Yamabe;T.Ohdaira;M.Muramatsu;R.Suzuki;A.S.Hamid;T.Chikyow;K.Torii;K.Yamada
通讯作者：
K.Yamada
DOI：
10.1088/0953-8984/12/5/318
发表时间：
2000
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
A. Uedono;M. Watanabe;S. Takasu;T. Sabato;S. Tanigawa
通讯作者：
S. Tanigawa
沉积后退火对 HfSiON 栅极堆栈负偏压温度不稳定性的影响
影响因子：
2
作者：
M. Aoulaiche;M. Houssa;T. Conard;S. De Gendt;G. Groeseneken;H. Maes;M. Heyns
通讯作者：
M. Heyns
使用单能正电子束表征金属/高 k 结构
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Jpn.JAppl.Phy6 46
影响因子：
--
作者：
A.Uedono;T.Naito;T.Otsuka;K.Ito;K.Shiraishi;K.Yamabe;S.Miyazaki;H.Watanabe;N.Umezawa;Y.Chikyow;T.Ohdaira;R.Suzuki;Y.Akasaka;S.Kamiyama;Y.Nara and K.Yamada
通讯作者：
Y.Nara and K.Yamada