Band Anti-Crossing Model in Dilute-As GaNAs Alloys
Band Anti-Crossing Model in Dilute-As GaNAs Alloys
复制标题
稀砷 GaN 合金中的能带反交叉模型
DOI：
10.1038/s41598-019-41286-y
复制
发表时间：
2019
影响因子：
4.6
通讯作者：
Tansu, Nelson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Goodrich, Justin C.;Borovac, Damir;Tan, Chee-Keong;Tansu, Nelson
通过局域As杂质态与GaN的价带结构的杂化，解释了稀砷GaN材料的能带结构。我们的方法利用密度泛函理论计算的能带结构，结合实验结果，确定了富N合金的带反交叉k-∙模型中As杂质的局域能级和耦合参数。该模型捕捉到了随着砷掺入的增加而减小的禁带宽度，并为器件级设计提供了一种工具，在∙理论的背景下使用该材料进行设计。分析扩展到计算砷杂质对空穴(重、轻和分裂)有效质量的影响，并预测整个成分范围内禁带的趋势。
The band structure of the dilute-As GaNAs material is explained by the hybridization of localized As-impurity states with the valance band structure of GaN. Our approach employs the use of Density Functional Theory (DFT) calculated band structures, along with experimental results, to determine the localized As-impurity energy level and coupling parameters in the band anti-crossing (BAC)k ∙ pmodel for N-rich alloys. This model captures the reduction of bandgap with increasing arsenic incorporation and provides a tool for device-level design with the material within the context of thek ∙ pformalism. The analysis extends to calculating the effect of the arsenic impurities on hole (heavy, light and split-off) effective masses and predicting the trend of the bandgap across the entire composition range.
登录
查看更多内容
通过分子束外延生长的薄膜中从显示蓝色发射的 As 掺杂 GaN 到 GaNAs 合金的转变
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Novikov;A. J. Winser;A. Bell;I. Harrison;Tian Li;R. Campion;C. R. Staddon;C. S. Davis;F. Ponce;C. T. Foxon
通讯作者：
C. T. Foxon
带隙范围为 0.8-3.4 eV 的非平衡 GaN 合金
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Yu;S. Novikov;R. Broesler;C. R. Staddon;M. Hawkridge;Z. Liliental;I. Demchenko;J. Denlinger;V. M. Kao;F. Luckert
通讯作者：
F. Luckert
从 p-GaAs(Cs,O) 到真空中的磁感应自旋相关光发射。
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Orlov;V. Alperovich;A. Terekhov
通讯作者：
A. Terekhov
稀氮化物中的能带反交叉
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Shan;K. Yu;W. Walukiewicz;Junqiao Wu;J. Ager;E. Haller
通讯作者：
E. Haller
影响因子：
20.6
作者：
Mishra, Umesh K.;Shen, Likun;Wu, Yi-Feng
通讯作者：
Wu, Yi-Feng