A compact LDMOS DDSCR for HV ESD protections with high robustness and reliability
A compact LDMOS DDSCR for HV ESD protections with high robustness and reliability
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用于高压 ESD 保护的紧凑型 LDMOS DDSCR，具有高稳健性和可靠性
DOI：
10.1016/j.sse.2019.107640
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发表时间：
2019-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
Jin Xiangliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Zhuojun;Lu Wenzhao;Wu Ming;Peng Wei;Hu Yuanyuan;Li Bo;Zeng Yun;Jin Xiangliang
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影响因子：
4.9
作者：
J. Salcedo;J. Liou
通讯作者：
J. Salcedo;J. Liou
DOI：
10.1109/ispsd.2000.856835
发表时间：
2000-05
期刊：
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094)
影响因子：
--
作者：
A. Moscatelli;A. Merlini;G. Croce;P. Galbiati;C. Contiero
通讯作者：
A. Moscatelli;A. Merlini;G. Croce;P. Galbiati;C. Contiero
提高保持电压的新型LDMOS-SCR的设计、制造和测试
影响因子：
1.7
作者：
Yang Liu;Wang Yang;Zhou Acheng;Jin Xiangliang
通讯作者：
Jin Xiangliang
DOI：
10.1109/iccdcs.2012.6188920
发表时间：
2012-03
期刊：
2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS)
影响因子：
--
作者：
J. Salcedo;D. Clarke;J. Hajjar
通讯作者：
J. Salcedo;D. Clarke;J. Hajjar
稳健的双向 SCR，具有低触发电压、可调保持电压，可实现高压 ESD 保护
影响因子：
1.6
作者：
Yang Wang;Xiangliang Jin;Liu Yang;Qi Jiang;Huihui Yuan
通讯作者：
Huihui Yuan