Design, fabrication and test of novel LDMOS-SCR for improving holding voltage
Design, fabrication and test of novel LDMOS-SCR for improving holding voltage
复制标题
提高保持电压的新型LDMOS-SCR的设计、制造和测试
DOI：
10.1016/j.sse.2014.08.007
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发表时间：
2015
影响因子：
1.7
通讯作者：
Jin Xiangliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Liu;Wang Yang;Zhou Acheng;Jin Xiangliang
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DOI：
10.1109/tdmr.2012.2220358
发表时间：
2012-09
影响因子：
2
作者：
M. Shrivastava;H. Gossner
通讯作者：
M. Shrivastava;H. Gossner
DOI：
10.1109/icsict.2010.5667324
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
影响因子：
--
作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang
通讯作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang
DOI：
10.1109/edssc.2010.5713671
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
影响因子：
--
作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang
通讯作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang
DOI：
10.1109/vtsa.2003.1252557
发表时间：
2003-10
期刊：
2003 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications. Proceedings of Technical Papers. (IEEE Cat. No.03TH8672)
影响因子：
--
作者：
C.S. Lai;Meng-Hwang Liu;S. Su;Tao-Cheng Lu
通讯作者：
C.S. Lai;Meng-Hwang Liu;S. Su;Tao-Cheng Lu
影响因子：
1.7
作者：
O. Semenov;S. Somov
通讯作者：
O. Semenov;S. Somov