III-V/Ge device engineering for CMOS photonics
III-V/Ge device engineering for CMOS photonics
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CMOS 光子学的 III-V/Ge 器件工程
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
齊藤 伸;鈴木 理明;杜 関祥;高橋 研;M. Takenaka and S. Takagi
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InP光子线波导采用InAlAs氧化物包覆层。
影响因子：
3.8
作者：
M. Takenaka;Y. Nakano
通讯作者：
Y. Nakano
采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
通讯作者：
R. Zhang
硅晶圆上的亚 10 纳米极薄体 InGaAs 绝缘体 MOSFET，具有超薄 $hbox{Al}_{2}hbox{O}_{3}$ 埋氧化层
影响因子：
4.9
作者：
M. Yokoyama;R. Iida;Sanghyeon Kim;N. Taoka;Y. Urabe;H. Takagi;T. Yasuda;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
使用直接晶圆键合制造的硅上薄体 III-V-绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管
影响因子：
2.3
作者：
M. Yokoyama;T. Yasuda;H. Takagi;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi