High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar
High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar
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HBr 和 Ar 的 AlGaN/GaN 高协同原子层蚀刻
DOI：
10.1116/6.0001862
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发表时间：
2022
影响因子：
2.9
通讯作者：
Crawford K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Crawford K
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利用电子回旋共振源对 III-V 族化合物半导体进行可控逐层刻蚀
影响因子：
1.4
作者：
K. K. Ko;S. Pang
通讯作者：
S. Pang
GaN两种原子层刻蚀工艺的对比研究
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
C. Mannequin;C. Vallée;K. Akimoto;T. Chevolleau;C. Durand;C. Dussarrat;T. Teramoto;E. Gheeraert;H. Mariette
通讯作者：
H. Mariette
影响因子：
1.4
作者：
Athavale, SD;Economou, DJ
通讯作者：
Economou, DJ
使用 HBr 中性束对 GaN 进行原子层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Ohori;T. Sawada;K. Sugawara;M. Okada;K. Nakata;Kazutaka Inoue;Daisuke Sato;H. Kurihara;S. Samukawa
通讯作者：
S. Samukawa
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
Sonam Sherpa;A. Ranjan
通讯作者：
A. Ranjan