Fabrication of a Vertical-Channel Double-Gate MOSFET Using a Neutral Beam Etching
Fabrication of a Vertical-Channel Double-Gate MOSFET Using a Neutral Beam Etching
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使用中性束蚀刻制造垂直沟道双栅极 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
遠藤和彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
遠藤和彦
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影响因子：
3.2
作者：
F. Shimokawa;H. Kuwano
通讯作者：
H. Kuwano
使用中性束蚀刻系统进行 50 nm 栅电极图案化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・4
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;久保田智広;野田周一
通讯作者：
野田周一
影响因子：
4
作者：
Masahara, M;Hosokawa, S;Suzuki, E
通讯作者：
Suzuki, E
影响因子：
2.9
作者：
Samukawa, S;Sakamoto, K;Ichiki, K
通讯作者：
Ichiki, K
中性束辅助蚀刻机的开发
DOI：
10.1116/1.579657
发表时间：
1995
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
T. Yunogami;K. Yokogawa;T. Mizutani
通讯作者：
T. Mizutani