50 nm gate electrode patterning using a neutral-beam etching system
50 nm gate electrode patterning using a neutral-beam etching system
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使用中性束蚀刻系统进行 50 nm 栅电极图案化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
野田周一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;久保田智広;野田周一
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