Annealing temperature dependence of magnetic properties of Mn2VAl alloy
Annealing temperature dependence of magnetic properties of Mn2VAl alloy
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Mn2VAl合金磁性能的退火温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ryosuke Kainuma
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rie Umetsu;Akinari Okubo;Ryosuke Kainuma
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演示用于非易失性嵌入式存储器的全功能 8Mb 垂直 STT-MRAM 芯片，写入速度低于 5ns
DOI：
10.1109/vlsit.2014.6894357
发表时间：
2014
期刊：
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
G. Jan;L. Thomas;S. Le;Yuan;Huanlong Liu;Jian Zhu;R. Tong;K. Pi;Yu;D. Shen;R. He;J. Haq;J. Teng;V. Lam;K. Huang;T. Zhong;T. Torng;P. Wang
通讯作者：
P. Wang
影响因子：
3.2
作者：
M. Kodzuka;T. Ohkubo;K. Hono;S. Ikeda;H. Gan;H. Ohno
通讯作者：
M. Kodzuka;T. Ohkubo;K. Hono;S. Ikeda;H. Gan;H. Ohno
全面研究 CoFeB-MgO 磁隧道结特性，单界面和双界面缩小至 1X nm
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Sato;T. Yamamoto;M. Yamanouchi;S. Ikeda;S. Fukami;K. Kinoshita;F. Matsukura;N. Kasai;H. Ohno
通讯作者：
H. Ohno
影响因子：
3.7
作者：
Hindmarch, A. T.;Rushforth, A. W.;Gallagher, B. L.
通讯作者：
Gallagher, B. L.
非易失性%20内存中逻辑%20array%20处理器%20in%2090nm%20MTJ/MOS%20实现%2075%%20泄漏%20减少%20使用%20基于周期的%20power%20门控
DOI：
10.1109/isscc.2013.6487696
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
M. Natsui;D. Suzuki;N. Sakimura;R. Nebashi;Y. Tsuji;A. Morioka;T. Sugibayashi;S. Miura;H. Honjo;K. Kinoshita;S. Ikeda;T. Endoh;H. Ohno;T. Hanyu
通讯作者：
T. Hanyu