Enhanced oxygen out-diffusion in silicon crystal doped with germanium
Enhanced oxygen out-diffusion in silicon crystal doped with germanium
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掺锗硅晶体中增强的氧外扩散
DOI：
10.1063/1.2781408
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发表时间：
2007-09
影响因子：
3.2
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
采用扩展电阻剖面和二次离子质谱技术研究了掺锗直拉硅单晶高温退火过程中氧的外扩散。有人认为，在1050 °C-1200 °C退火时，锗掺杂可以增强硅中的氧向外扩散。这种增强效应随着施加到材料的退火温度以及随着硅中引入的锗浓度而增加。分析认为，锗原子在硅中的替代，为间隙氧原子提供了快速扩散通道，从而增强了氧的外扩散。
Out-diffusion of oxygen during high temperature annealing has been investigated in Czochralski silicon with germanium doping through the spreading resistance profile and secondary ion mass spectrometry techniques. It has been suggested that oxygen out-diffusion in silicon could be enhanced by germanium doping when annealed at 1050 °C−1200 °C. Such enhancement effect increases with the annealing temperature applied to materials as well as increases with the germanium concentration introduced in silicon. It is proposed that the enhanced oxygen out-diffusion may be due to the fast diffusion channel for the interstitial oxygen atoms, which is induced by the substituted germanium atoms in silicon.
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