Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology
Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology
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辅助栅极结构与栅极控制技术相结合降低低压功率MOSFET的功率损耗
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kaneko;M. Nakajima;Q. Jin;and T. Kimoto;Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa
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高密度沟槽 MOSFET 中与体效应有关的反向恢复
DOI：
10.1109/ispsd.2006.1666076
发表时间：
2006
期刊：
2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
T. López;R. Elferich;N. Koper
通讯作者：
N. Koper
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DOI：
10.23919/ispsd.2017.7988892
发表时间：
2017
期刊：
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
Y. Takeuchi;T. Miyoshi;T. Furukawa;M. Shiraishi;M. Mori
通讯作者：
M. Mori
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W. Saito
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W. Saito
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4.9
作者：
Saito Wataru;Nishizawa Shin-ichi
通讯作者：
Nishizawa Shin-ichi
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DOI：
10.1109/apec.2006.1620721
发表时间：
2006
期刊：
Twenty-First Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2006. APEC '06.
影响因子：
--
作者：
R. Elferich;T. López
通讯作者：
T. López