Hot carrier effect on a single SiGe HBT's EMI response
Hot carrier effect on a single SiGe HBT's EMI response
复制标题
热载流子对单个 SiGe HBT EMI 响应的影响
DOI：
10.1016/j.microrel.2015.09.002
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发表时间：
2015-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chaohui He
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cen Xiong;Yonghong Li;Shuhuan Liu;Du Tang;Jinxin Zhang;Chaohui He
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影响因子：
1.8
作者：
J. M. Roldan;G. Niu;W. Ansley;J. Cressler;S. Clark;D. Ahlgren
通讯作者：
J. M. Roldan;G. Niu;W. Ansley;J. Cressler;S. Clark;D. Ahlgren
影响因子：
4.9
作者：
J. Babcock;J. Cressler;L. Vempati;S. Clark;R. Jaeger;D. Harame
通讯作者：
J. Babcock;J. Cressler;L. Vempati;S. Clark;R. Jaeger;D. Harame
影响因子：
1
作者：
Yabin Sun;Jun Fu;Jun Xu;Yudong Wang;Ji Yang;Wei Zhou;Wei Zhang-;Jie Cui;Gaoqing Li;Zhihong Liu;Sumin Wei;Feng Wang;F. Guan;Pengzhan Li;Tianjue Zhang
通讯作者：
Yabin Sun;Jun Fu;Jun Xu;Yudong Wang;Ji Yang;Wei Zhou;Wei Zhang-;Jie Cui;Gaoqing Li;Zhihong Liu;Sumin Wei;Feng Wang;F. Guan;Pengzhan Li;Tianjue Zhang
影响因子：
2.1
作者：
U. Fermi;A. Fiumara;G. Rossi
通讯作者：
U. Fermi;A. Fiumara;G. Rossi
影响因子：
1.8
作者：
A. Doridant;S. Jarrix;J. Raoult;A. Blain;N. Chatry;P. Calvel;P. Hoffmann;L. Dusseau
通讯作者：
A. Doridant;S. Jarrix;J. Raoult;A. Blain;N. Chatry;P. Calvel;P. Hoffmann;L. Dusseau