eLeNA: A Parametric CMOS Active-Pixel Sensor for the Evaluation of Reset Noise Reduction Architectures
eLeNA: A Parametric CMOS Active-Pixel Sensor for the Evaluation of Reset Noise Reduction Architectures
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eLeNA：用于评估复位降噪架构的参数 CMOS 有源像素传感器
DOI：
10.1109/ted.2010.2052418
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发表时间：
2010
影响因子：
3.1
通讯作者：
Anaxagoras T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Anaxagoras T
我们提出了一种新的互补金属氧化物半导体（CMOS）有源像素传感器成像仪，该成像仪采用不同的复位方案来实现更低的复位噪声水平。该传感器eLeNA采用0.18 μm CMOS工艺，采用448 × 512阵列，像素间距为15 μm。采用14个切片和5种不同的复位方法。在不使用固定二极管的情况下，我们植入了相关双采样结构。测量到的噪声为6 μV/e-，转换增益为49 μV/e-。在考虑漏电流和读噪声的情况下，我们将讨论实现最佳整体性能的复位方法的各种应用。
We present a novel complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) active-pixel sensor imager that incorporates different reset schemes to achieve lower reset noise levels. The sensor, eLeNA, features a 448 × 512 array with a pixel pitch of 15 μm, fabricated using a 0.18- μm CMOS process. Fourteen sections and five different reset methods were employed. Without using pinned diodes, we implanted structures for correlated double sampling. A noise of 6 e- is measured with a conversion gain of 49 μV/e-. We will discuss various applications for the reset method that achieved the best overall performance, considering leakage current and read noise.
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通过基于列的反馈复位来抑制二维 CMOS 光电二极管像素中的复位噪声
DOI：
10.1109/iedm.2002.1175961
发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
--
作者：
B. Pain;T. Cunningham;B. Hancock;G. Yang;S. Seshadri;M. Ortiz
通讯作者：
M. Ortiz
影响因子：
3.1
作者：
NOBLE, PJW
通讯作者：
NOBLE, PJW
重置和分割有源像素图像传感器中的噪声
影响因子：
3.1
作者：
J. Lai;A. Nathan
通讯作者：
A. Nathan
影响因子：
5.4
作者：
Kozlowski, LJ;Rossi, G;Standley, D
通讯作者：
Standley, D
DOI：
10.3390/s8095336
发表时间：
2008-09-02
期刊：
Sensors (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Ballin JA;Crooks JP;Dauncey PD;Magnan AM;Mikami Y;Miller OD;Noy M;Rajovic V;Stanitzki M;Stefanov K;Turchetta R;Tyndel M;Villani EG;Watson NK;Wilson JA
通讯作者：
Wilson JA