Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) in a Quadruple Well Technology for Nearly 100% Fill Factor and Full CMOS Pixels.
Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) in a Quadruple Well Technology for Nearly 100% Fill Factor and Full CMOS Pixels.
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DOI：
10.3390/s8095336
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发表时间：
2008-09-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wilson JA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ballin JA;Crooks JP;Dauncey PD;Magnan AM;Mikami Y;Miller OD;Noy M;Rajovic V;Stanitzki M;Stefanov K;Turchetta R;Tyndel M;Villani EG;Watson NK;Wilson JA
本文介绍了一种基于0.18 μ mCMOS工艺INMAPS的新型四阱工艺。在标准工艺的顶部，我们增加了一个深P注入，可以用来形成一个深P阱，并提供从P掺杂外延层屏蔽N阱。这防止了由不相关的N阱（通常是集成PMOS晶体管的N阱）收集辐射感应电荷。介绍了一种专门为粒子物理实验设计的传感器，每个50 μm像素有150多个PMOS和NMOS晶体管。该传感器已被制造的INMAPS过程和第一个实验证据的有效性，这个过程中的电荷收集，显示出显着的效率提高。
In this paper we present a novel, quadruple well process developed in a modern 0.18 μm CMOS technology called INMAPS. On top of the standard process, we have added a deep P implant that can be used to form a deep P-well and provide screening of N-wells from the P-doped epitaxial layer. This prevents the collection of radiation-induced charge by unrelated N-wells, typically ones where PMOS transistors are integrated. The design of a sensor specifically tailored to a particle physics experiment is presented, where each 50 μm pixel has over 150 PMOS and NMOS transistors. The sensor has been fabricated in the INMAPS process and first experimental evidence of the effectiveness of this process on charge collection is presented, showing a significant improvement in efficiency.
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DOI：
10.1016/j.nima.2004.07.160
发表时间：
2004-12-11
影响因子：
1.4
作者：
Bulgheroni, A;Caccia, M;Tomaszewski, D
通讯作者：
Tomaszewski, D
DOI：
10.1016/s0168-9002(02)02015-6
发表时间：
2003-03-21
影响因子：
1.4
作者：
Gemme, C
通讯作者：
Gemme, C
影响因子：
5.4
作者：
Kozlowski, LJ;Rossi, G;Standley, D
通讯作者：
Standley, D
DOI：
10.1016/s0168-9002(00)00893-7
发表时间：
2001-02-11
影响因子：
1.4
作者：
Turchetta, R;Berst, JD;Winter, M
通讯作者：
Winter, M
DOI：
10.1016/j.nima.2007.08.154
发表时间：
2007-11-01
影响因子：
1.4
作者：
Olivo, A.;Arvanitis, C. D.;Speller, R. D.
通讯作者：
Speller, R. D.