Point Spread Function for the Calculation of Acid Distribution in Chemically Amplified Resists Used for Electron-Beam Lithography
Point Spread Function for the Calculation of Acid Distribution in Chemically Amplified Resists Used for Electron-Beam Lithography
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用于计算电子束光刻用化学放大抗蚀剂中酸分布的点扩散函数
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Tagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kozawa;S. Tagawa
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用于后光学光刻的化学放大抗蚀剂中酸分布不均匀的潜在原因
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
H. Yamamoto;T. Kozawa;A. Nakano;K. Okamoto;S. Tagawa;T. Ando;M. Sato;H. Komano
通讯作者：
H. Komano
影响因子：
2.9
作者：
K. Okamoto;T. Kozawa;A. Saeki;Y. Yoshida;S. Tagawa
通讯作者：
K. Okamoto;T. Kozawa;A. Saeki;Y. Yoshida;S. Tagawa
研究微观区域的辐射诱发反应，以基本了解光刻工艺中的电子束图案化（II）–抗蚀剂空间分辨率与离子物质空间分布之间的关系–
影响因子：
1.5
作者：
A. Saeki;T. Kozawa;Y. Yoshida;S. Tagawa
通讯作者：
S. Tagawa
影响因子：
1.4
作者：
J. McMillan;Sylvester Johnson;N. MacDonald
通讯作者：
N. MacDonald
使用硅上 20–100 keV 电子束光刻的抗蚀剂响应曲线测量反向散射系数
影响因子：
1.4
作者：
G. Watson;Diana C. Fu;S. Berger;D. Tennant;L. Fetter;A. Novembre;C. Biddick
通讯作者：
C. Biddick