Preferential suppression of Auger energy backflow by separation of Er ions from carriers with a thin oxide interlayer in Er-doped porous silicon
Preferential suppression of Auger energy backflow by separation of Er ions from carriers with a thin oxide interlayer in Er-doped porous silicon
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通过掺铒多孔硅中薄氧化物夹层将铒离子与载流子分离来优先抑制俄歇能量回流
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Yugo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kimura;H.Isshiki;T.Ishida;T.Shimizu;S.Ide;R.Saito;S.Yugo
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DOI：
10.1143/jjap.29.l524
发表时间：
1990-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
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作者：
FAVENNEC, PN;LHARIDON, H;GAUNEAU, M
通讯作者：
GAUNEAU, M
影响因子：
4
作者：
T. Kimura;A. Yokoi;Y. Nishida;R. Saito;S. Yugo;T. Ikoma
通讯作者：
T. Ikoma
多孔硅的电化学Er掺杂及其~1.54 μm的室温发光
影响因子：
4
作者：
T. Kimura;A. Yokoi;H. Horiguchi;R. Saito;T. Ikoma;A. Sato
通讯作者：
A. Sato
影响因子：
3.2
作者：
S. Lombardo;S. U. Campisano;G. N. Hoven;A. Polman
通讯作者：
A. Polman