Characteristics of GaMnAs-based double-barrier structures

Characteristics of GaMnAs-based double-barrier structures
复制标题

GaMnAs基双势垒结构的特性

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
Physica Status Solidi C 3
影响因子:
--
通讯作者:
J.Okabayashi et al.
J.Okabayashi et al.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
M.Watanabe;J.Okabayashi et al.

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

DOI: 10.1103/physrevb.73.035303
发表时间: 2006-01-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者:
Elsen, M;Boulle, O;Faini, G
通讯作者: Faini, G
DOI: 10.1103/physrevlett.87.026602
发表时间: 2001-07-09
影响因子: 8.6
作者:
Tanaka, M;Higo, Y
通讯作者: Higo, Y
III-V 族铁磁量子阱中量子态的形成和自旋动力学
DOI: 10.1016/j.jmmm.2003.12.546
发表时间: 2004
影响因子: 2.7
作者:
A. Oiwa;R. Moriya;Y. Kashimura;H. Munekata
通讯作者: H. Munekata
(GaMn)As/AlAs 超薄 (<5 nm) 异质结构中的磁光光谱蓝移和铁磁排序
DOI: 10.1063/1.1447199
发表时间: 2002
影响因子: 3.2
作者:
H. Shimizu;Masaaki Tanaka
通讯作者: Masaaki Tanaka
DOI: 10.1103/physrevlett.89.107205
发表时间: 2002-09-02
影响因子: 8.6
作者:
Petukhov, AG;Chantis, AN;Demchenko, DO
通讯作者: Demchenko, DO