Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_<0.52>Al_<0.48>As pseudomorphic high electron mobility transistor structures
Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_<0.52>Al_<0.48>As pseudomorphic high electron mobility transistor structures
复制标题
(411)A In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_<0.52>Al_<0.48>As 假晶高电子迁移率晶体管结构分子束外延过程中硅掺杂剂表面偏析的抑制
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Sagisaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
宮島拓郎;岩尾徹;湯本雅恵;田代真一;田中学;H.Sagisaka
登录
查看更多内容
在 [411]A 取向 InP 上制造的 195 nm 栅极 In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As HEMT 在 16 K 时观察到 2.25 S/mm 的高跨导
影响因子：
4.9
作者：
I. Watanabe;K. Shinohara;T. Kitada;S. Shimomura;Y. Yamashita;A. Endoh;T. Mimura;T. Matsui;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu
影响因子：
1.7
作者：
ANDO, T
通讯作者：
ANDO, T
极短栅沟道距离的 InP 基高电子迁移率晶体管
影响因子：
1.5
作者：
A. Endoh;Y. Yamashita;K. Shinohara;K. Hikosaka;T. Matsui;S. Hiyamizu;T. Mimura
通讯作者：
T. Mimura
Au/InxAl1−xAs 肖特基势垒高度的成分依赖性
DOI：
10.1063/1.97290
发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
--
作者：
Chern;P. Chu;A. L. Kellner;H. Wieder;E. Rezek
通讯作者：
E. Rezek
通过分子束外延在 (411)A InP 衬底上生长的 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 量子阱中的超平坦界面
影响因子：
2.1
作者：
T. Kitada;T. Saeki;M. Ohashi;S. Shimomura;A. Adachi;Y. Okamoto;N. Sano;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu