Trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures
Trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures
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用于高温下工作的 ESD 保护的 PDSOI NMOS 器件的触发机制
DOI：
10.1088/1674-1056/abe2fe
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发表时间：
2021-02
影响因子：
1.7
通讯作者：
Luo Jia-Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Jia-Xin;Li Xiao-Jing;Zhao Fa-Zhan;Zeng Chuan-Bin;Li Duo-Li;Gao Lin-Chun;Li Jiang-Jiang;Li Bo;Han Zheng-Sheng;Luo Jia-Jun
研究了工作在30 °C ~ 195 °C不同环境温度下的静电放电（ESD）保护器件的触发特性。所研究的ESD保护器件为H栅NMOS晶体管，其制造工艺为0.1
Trigger characteristics of electrostatic discharge (ESD) protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30 °C to 195 °C are investigated. The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS transistors fabricated witha 0.1
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影响因子：
1.7
作者：
S. Jang;J. Lin
通讯作者：
S. Jang;J. Lin
影响因子：
1.7
作者：
Fei 飞 Hou 侯;Ruibo 瑞博 Chen 陈;F. Du 杜;J. Liu 刘;Z. Liu 刘;Juin 俊杰 J Liou 刘
通讯作者：
Fei 飞 Hou 侯;Ruibo 瑞博 Chen 陈;F. Du 杜;J. Liu 刘;Z. Liu 刘;Juin 俊杰 J Liou 刘
影响因子：
1.7
作者：
S. Li
通讯作者：
S. Li
影响因子：
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作者：
Wenqiang Song;Fei Hou;Feibo Du;Zhiwei Liu;J. Liou
通讯作者：
Wenqiang Song;Fei Hou;Feibo Du;Zhiwei Liu;J. Liou
影响因子：
1.7
作者：
S. Jang;Lien-Sheng Lin;Shao-Hua Li
通讯作者：
S. Jang;Lien-Sheng Lin;Shao-Hua Li