Improved Schottky contacts to InGaN alloys by a photoelectrochemical treatment
Improved Schottky contacts to InGaN alloys by a photoelectrochemical treatment
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通过光电化学处理改善 InGaN 合金的肖特基接触
DOI：
10.1002/pssa.201532717
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发表时间：
2016-04
影响因子：
2
通讯作者：
Zheng Youdou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tang Yin;Cai Qing;Yang Lianhong;Xue Junjun;Chen Dunjun;Lu Hai;Zhang Rong;Zheng Youdou
我们报道了通过引入光电化学处理来改善肖特基接触InGaN合金的电学性能。肖特基势垒高度由热电子场发射模型决定，这是一种主要的正向电流传输机制
We report on improved electrical properties of Schottky contacts to InGaN alloys by introducing a photoelectrochemical treatment. The Schottky barrier height determined by a thermionic‐field emission model, a dominating forward‐current‐transport mechanism
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DOI：
10.1116/1.3622298
发表时间：
2011-08
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
Z. Shao;Dunjun Chen;B. Liu;Hai Lu;Z. Xie;Rong Zhang;Youdou Zheng
通讯作者：
Z. Shao;Dunjun Chen;B. Liu;Hai Lu;Z. Xie;Rong Zhang;Youdou Zheng
DOI：
10.1007/978-3-319-97604-4
发表时间：
2019
期刊：
Springer Proceedings in Physics
影响因子：
--
作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
通讯作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
影响因子：
4.9
作者：
Likun Shen;R. Coffie;D. Buttari;S. Heikman;A. Chakraborty;A. Chini;Sarah L. Keller;S. Denbaars;Umesh K. Mishra
通讯作者：
Likun Shen;R. Coffie;D. Buttari;S. Heikman;A. Chakraborty;A. Chini;Sarah L. Keller;S. Denbaars;Umesh K. Mishra
影响因子：
3.2
作者：
Jang, JS;Kim, D;Seong, TY
通讯作者：
Seong, TY
影响因子：
1.7
作者：
CROWELL, CR;RIDEOUT, VL
通讯作者：
RIDEOUT, VL