Multi-scale electrothermal simulation and modelling of resistive random access memory devices
Multi-scale electrothermal simulation and modelling of resistive random access memory devices
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电阻式随机存取存储器件的多尺度电热仿真和建模
DOI：
10.1109/patmos.2016.7833422
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sadi T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sadi T
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DOI：
10.1007/s00339-011-6267-6
发表时间：
2011-01
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Jun Yao;L. Zhong;D. Natelson;J. Tour
通讯作者：
Jun Yao;L. Zhong;D. Natelson;J. Tour
富硅氧化硅电阻切换过程中电导率变化性质的微观和光谱分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Buckwell;L. Montesi;A. Mehonic;Omer Reza;L. Garnett;M. Munde;S. Hudziak;A. Kenyon
通讯作者：
A. Kenyon
单 InAs 纳米线通道金属绝缘体场效应晶体管的自洽电热蒙特卡罗模拟
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Sadi;J. Thobel;F. Dessenne
通讯作者：
F. Dessenne
基于 SiOx 的 RRAM 结构的自洽物理建模
DOI：
10.1109/iwce.2015.7301981
发表时间：
2015
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Sadi T
通讯作者：
Sadi T
影响因子：
3.2
作者：
Mehonic, Adnan;Cueff, Sebastien;Kenyon, Anthony J.
通讯作者：
Kenyon, Anthony J.