n-GaN/Oxide/Alの接触抵抗率に及ぼす酸化物種の影響
n-GaN/Oxide/Alの接触抵抗率に及ぼす酸化物種の影響
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氧化物种类对 n-GaN/Oxide/Al 接触电阻率的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小池淳一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古塲治朗;小池淳一
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通过外延生长的 GaOx 绝缘层减少间隙态，实现金属/n-GaN 的低接触电阻率
影响因子：
1.6
作者：
Omata Takahisa;Sharma Aman;Kinoshita Takuya;Suzuki Issei;Ishiyama Tomohiro;Kohara Shinji;Ohara Koji;Ono Madoka;Fang Tong;Ren Yang;Fujioka Masaya;Zhao Gaoyang;Nishii Junji;関戸竜也，麻田俊雄，小関 史朗;齊藤 裕一，菅谷 文男，井上 慎太郎，ラクシンチャラーンサク ポンサトーン，井上 秀雄，;J. Koba and J. Koike
通讯作者：
J. Koba and J. Koike
氮化镓：电荷中性水平和界面
影响因子：
0.6
作者：
M. Grodzicki;P. Mazur;A. Ciszewski
通讯作者：
A. Ciszewski
p 型 GaN 金属接触中的势垒高度和费米能级钉扎
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Wahid;N. Chowdhury;Md. Kawsar Alam;T. Palacios
通讯作者：
T. Palacios
In2O3和Ga2O3低温离子辐照后的电导率；
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
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作者：
L. Vines;C. Bhoodoo;H. von Wenckstern;M. Grundmann
通讯作者：
M. Grundmann