Growth of high quality N-polar n-GaN on vicinal C-face n-SiC substrates for vertical conducting devices
Growth of high quality N-polar n-GaN on vicinal C-face n-SiC substrates for vertical conducting devices
复制标题
用于垂直导电器件的邻 C 面 n-SiC 衬底上生长高质量 N 极性 n-GaN
DOI：
10.1016/j.vacuum.2016.05.006
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发表时间：
2016-08
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Du, Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang, Zhen;Li, Baozhu;Zhang, Baolin;Du, Guotong
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刃位错和 Si 杂质在连接 n 型 GaN 薄膜中蓝色发光和黄色发光中的作用
影响因子：
4
作者：
Zhao, D. G.;Jiang, D. S.;Yang, Hui
通讯作者：
Yang, Hui
DOI：
10.1002/pssa.200461486
发表时间：
2005-04
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
A. Sagar;R. Feenstra;C. K. Inoki;T. Kuan;Y. Fu;Y. Moon;F. Yun;H. Morkoç
通讯作者：
A. Sagar;R. Feenstra;C. K. Inoki;T. Kuan;Y. Fu;Y. Moon;F. Yun;H. Morkoç
影响因子：
3.2
作者：
Ng, HM;Weimann, NG;Chowdhury, A
通讯作者：
Chowdhury, A
影响因子：
4
作者：
Neugebauer, J;Van de Walle, CG
通讯作者：
Van de Walle, CG
影响因子：
4
作者：
A. F. Wright;U. Grossner
通讯作者：
A. F. Wright;U. Grossner