Abnormal oxidation characteristics of SiGe/SOI structures depending on piled-up Ge fraction at SiO2/SiGe interface
Abnormal oxidation characteristics of SiGe/SOI structures depending on piled-up Ge fraction at SiO2/SiGe interface
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SiGe/SOI 结构的异常氧化特性取决于 SiO2/SiGe 界面上堆积的 Ge 分数
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tanaka;T. Ohka;T. Sadoh;M. Miyao
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