Characteristics of blocking voltage for power 4H-SiC BJTs with mesa edge termination
Characteristics of blocking voltage for power 4H-SiC BJTs with mesa edge termination
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具有台面边缘端接的功率 4H-SiC BJT 的阻断电压特性
DOI：
10.1088/1674-4926/31/7/074007
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发表时间：
2010-07
影响因子：
5.1
通讯作者：
Qian, Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yimen, Zhang;Yuming, Zhang;Qian, Zhang
根据雪崩电离理论，通过计算机分析4H-SiC双极结型晶体管（BJT）的单区和多区结终端延伸（JTE）结构的结构参数
According to the avalanche ionization theory, a computer-based analysis is performed to analyze the struc- tural parameters of single- and multiple-zone junction termination extension (JTE) structures for 4H-SiC bipolar junc- tion transistors (BJTs) with
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通讯作者：
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A. Bhardwaj;K. Ranjan;Namrata;S. Chatterji;A. Srivastava;R. K. Shivpuri
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通讯作者：
M. Tarplee;V. Madangarli;Q. Zhang;T. Sudarshan