Top-gated graphene nanoribbon transistors with ultrathin high-k dielectrics.
Top-gated graphene nanoribbon transistors with ultrathin high-k dielectrics.
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DOI：
10.1021/nl100840z
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发表时间：
2010-05-12
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Duan X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liao L;Bai J;Cheng R;Lin YC;Jiang S;Huang Y;Duan X
将超薄高介电常数（high-k）材料与石墨烯纳米带（GNR）集成用于顶栅晶体管可以推动其在纳米级电子器件中的性能极限。在这里，我们报告的组件的Si/HfO 2核/壳纳米线的顶部的个别GNR作为顶栅的GNR场效应晶体管与超薄高k值晶体管。Si/HfO 2核/壳纳米线是通过在高掺杂硅纳米线上原子层沉积HfO 2壳来合成的，其电介质厚度精确控制为1-2 nm。使用核/壳纳米线作为顶栅，已经实现了高性能GNR晶体管，其最大可达3.2 mS μm−1，这是迄今为止报道的GNR晶体管的最高值。该方法首次展示了超薄高k石墨烯与石墨烯的有效集成，具有精确控制的厚度和质量，代表了迈向高性能石墨烯电子的重要一步。
The integration ultra-thin high dielectric constant (high-k) materials with graphene nanoribbons (GNRs) for top-gated transistors can push their performance limit for nanoscale electronics. Here we report the assembly of Si/HfO2 core/shell nanowires on top of individual GNRs as the top-gates for GNR field-effect transistors with ultra-thin high-k dielectrics. The Si/HfO2 core/shell nanowires are synthesized by atomic layer deposition of HfO2 shell on highly-doped silicon nanowires with a precise control of the dielectric thickness down to 1–2 nm. Using the core/shell nanowires as the top-gates, high performance GNR transistors have been achieved with transconductance reaching 3.2 mS μm−1, the highest value for GNR transistors reported to date. This method, for the first time, demonstrates the effective integration of ultra-thin high-k dielectrics with graphene with precisely controlled thickness and quality, representing an important step towards high performance graphene electronics.
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影响因子：
38.3
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
10.8
作者：
Bai, Jingwei;Duan, Xiangfeng;Huang, Yu
通讯作者：
Huang, Yu
DOI：
10.1016/j.physe.2007.06.020
发表时间：
2007-12-01
影响因子：
3.3
作者：
Chen, Zhihong;Lin, Yu-Ming;Avouris, Phaedon
通讯作者：
Avouris, Phaedon
影响因子：
8.6
作者：
Han, Melinda Y.;Brant, Juliana C.;Kim, Philip
通讯作者：
Kim, Philip
影响因子：
4
作者：
Lee, Bongki;Park, Seong-Yong;Kim, Jiyoung
通讯作者：
Kim, Jiyoung