Semiconductor Quantum Well Lasers With a Temperature-Insensitive Threshold Current
Semiconductor Quantum Well Lasers With a Temperature-Insensitive Threshold Current
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具有温度不敏感阈值电流的半导体量子阱激光器
DOI：
10.1109/jstqe.2015.2413403
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发表时间：
2015
影响因子：
4.9
通讯作者：
Adams A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Adams A
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应力工程静压封装中二极管激光器波长的温度敏感性降低
影响因子：
4
作者：
D. Cohen;M. Heimbuch;L. Coldren
通讯作者：
L. Coldren
影响因子：
4
作者：
DUTTA, NK;NELSON, RJ
通讯作者：
NELSON, RJ
InAs/GaAs $hbox{1.3};mu$m 量子点激光器中通过激发态复合的重要性
DOI：
10.1109/jstqe.2009.2015679
发表时间：
2009
影响因子：
4.9
作者：
M. Crowley;I. Marko;N. Massé;A. Andreev;S. Tomić;S. Sweeney;E. O’Reilly;A. Adams
通讯作者：
A. Adams
影响因子：
2.6
作者：
Sweeney, SJ;Phillips, AF;Thijs, PJA
通讯作者：
Thijs, PJA
1.5 /spl mu/m lnGaAs(P)/lnP量子阱激光器高温性能退化的根源
DOI：
10.1109/leos.2003.1253133
发表时间：
2003
期刊：
The 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2003. LEOS 2003.
影响因子：
--
作者：
S. Sweeney;P. Thijs
通讯作者：
P. Thijs