Total Dose Tolerance Analysis of an Optically Reconfigurable Gate Array VLSI
Total Dose Tolerance Analysis of an Optically Reconfigurable Gate Array VLSI
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光学可重构门阵列 VLSI 的总剂量耐受性分析
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nobuya Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kaho Yamada;Takeshi Okazaki;Minoru Watanabe;Nobuya Watanabe
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影响因子：
1.8
作者：
John M. Kirkpatrick;B. Young
通讯作者：
B. Young
总电离剂量辐照对 CMOS 技术的影响以及使用设计技术来减轻总剂量效应
DOI：
10.1109/relphy.2002.996663
发表时间：
2002
期刊：
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320)
影响因子：
--
作者：
R. Lacoe
通讯作者：
R. Lacoe
总电离剂量对 41 nm NAND 闪存单元保留的影响
影响因子：
1.8
作者：
M. Bagatin;S. Gerardin;A. Paccagnella;A. Visconti;S. Beltrami;M. Bertuccio;L. T. Czeppel
通讯作者：
L. T. Czeppel
商业制造的抗辐射现场可编程门阵列的 SEE 和 TID 结果
DOI：
10.1109/redw.2004.1352910
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE Radiation Effects Data Workshop (IEEE Cat. No.04TH8774)
影响因子：
--
作者：
C. Hafer;R. Lake;A. Jordan;T. Farris
通讯作者：
T. Farris
可重新配置的 FPGA 计算可减轻总电离剂量效应
DOI：
10.1109/aero.2007.352753
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE Aerospace Conference
影响因子：
--
作者：
F. Smith;S. Mostert
通讯作者：
S. Mostert