Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation
Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation
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在 SiO2 沉积和界面氮化之前通过 H2 蚀刻提高 4H-SiC MOSFET 的迁移率
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tachiki;K. Ito;M. Kaneko;and T. Kimoto
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影响因子：
4.9
作者：
Okamoto, Dai;Yano, Hiroshi;Fuyuki, Takashi
通讯作者：
Fuyuki, Takashi
实际温度下 SiC (0001)/SiO2 系统中碳缺陷的结构和能量学：SiC、SiO2 及其界面处的缺陷
影响因子：
3.2
作者：
Kobayashi Takuma;Matsushita Yu-ichiro
通讯作者：
Matsushita Yu-ichiro
NO 中退火的 4H-SiC ( $11ar {2}0$ ) 和 ( $1ar {1}00$ ) MOS 结构的界面特性
影响因子：
3.1
作者：
S. Nakazawa;T. Okuda;J. Suda;Takashi Nakamura;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto
通过霍尔效应测量研究掺入 Ba 的 4H-SiC MOSFET 的增强场效应迁移率
影响因子：
1.6
作者：
Eigo Fujita;M. Sometani;T. Hatakeyama;S. Harada;H. Yano;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
通讯作者：
Heiji Watanabe
量子限制对 4H-SiC(0001)/SiO2 体系中缺陷引起的局域能级的影响
影响因子：
3.2
作者：
K. Ito;T. Kobayashi;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto