Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface
Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface
复制标题
实际温度下 SiC (0001)/SiO2 系统中碳缺陷的结构和能量学：SiC、SiO2 及其界面处的缺陷
DOI：
10.1063/1.5100754
复制
发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Matsushita Yu-ichiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kobayashi Takuma;Matsushita Yu-ichiro
登录
查看更多内容
第一性原理计算揭示了 4H-SiC (0001) 和 (000-1) 表面的初始氧化机制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
arXiv 1612.00189
影响因子：
--
作者：
日比聡;沢田優真;岸直希;Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
通讯作者：
Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
面向未来功率器件的 SiC/SiO2 接口的第一原理研究
DOI：
10.1109/iedm.2014.7047095
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
K. Shiraishi;K. Chokawa;H. Shirakawa;K. Endo;M. Araidai;K. Kamiya;H. Watanabe
通讯作者：
H. Watanabe
4H-SiC和2H-GaN MOS电容器和FET的比较研究
DOI：
10.1002/pssa.200925125
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
T. Chow;H. Naik;Zhongda Li
通讯作者：
Zhongda Li
影响因子：
2.3
作者：
Kobayashi, Takuma;Tachiki, Keita;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
4H-SiC(0001)表面的超高温快速热氧化及SiO2/SiC界面特性的氧化温度依赖性
影响因子：
4
作者：
T. Hosoi;Daisuke Nagai;M. Sometani;Yoshihito Katsu;Hironori Takeda;T. Shimura;M. Takei;Heiji Watanabe
通讯作者：
Heiji Watanabe