Toward Linearity in Schottky Barrier CNTFETs
Toward Linearity in Schottky Barrier CNTFETs
复制标题
肖特基势垒 CNTFET 的线性化
DOI：
10.1109/tnano.2015.2397696
复制
发表时间：
2015
影响因子：
2.4
通讯作者：
M. Schroter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Mothes;M. Claus;M. Schroter
登录
查看更多内容
碳纳米管晶体管双极输运和量子效应的蒙特卡罗研究
DOI：
10.1109/sispad.2009.5290195
发表时间：
2009
期刊：
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子：
--
作者：
Huu;S. Retailleau;D. Querlioz;A. Bournel;P. Dollfus
通讯作者：
P. Dollfus
碳纳米管晶体管与 MOSFET 的射频线性潜力
影响因子：
2.4
作者：
A. Alam;C. M. Rogers;N. Paydavosi;K. Holland;S. Ahmed;M. Vaidyanathan
通讯作者：
M. Vaidyanathan
使用蒙特卡罗模拟研究 CNTFET 中的半经典和量子输运
影响因子：
3.1
作者：
Huu;Damien Querlioz;S. Galdin;P. Dollfus
通讯作者：
P. Dollfus
CNTFET 紧凑模型的严格审查
影响因子：
2.1
作者：
M. Claus;D. Gross;M. Haferlach;M. Schroter
通讯作者：
M. Schroter
适用于 RF 应用的 SOI MOSFET 的线性度和低噪声性能
影响因子：
3.1
作者：
A. Adan;T. Yoshimasu;S. Shitara;N. Tanba;M. Fukurni
通讯作者：
M. Fukurni