Advances in Hydrogen, Carbon Dioxide, and Hydrocarbon Gas Sensor Technology Using GaN and ZnO-Based Devices.
Advances in Hydrogen, Carbon Dioxide, and Hydrocarbon Gas Sensor Technology Using GaN and ZnO-Based Devices.
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DOI：
10.3390/s90604669
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lin J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Anderson T;Ren F;Pearton S;Kang BS;Wang HT;Chang CY;Lin J
在本文中，我们回顾了我们最近的结果，在开发氢气传感器使用各种器件结构，包括ZnO纳米线和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。ZnO纳米线特别令人感兴趣，因为它们具有大的表面积与体积比，这将提高灵敏度，并且因为它们在低电流水平下操作，在传感器模块中将具有低功率要求。GaN基器件提供了HEMT结构、高温操作以及与现有制造技术和感测系统的简单集成的优点。改进的灵敏度，可恢复性和可靠性。还报道了使用功能化GaN HEMT检测其他气体，包括CO2和C2H4的演示。这对于芯片实验室类型系统的开发至关重要，并且可以为市场就绪的传感器应用提供重大进展。
In this paper, we review our recent results in developing gas sensors for hydrogen using various device structures, including ZnO nanowires and GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs). ZnO nanowires are particularly interesting because they have a large surface area to volume ratio, which will improve sensitivity, and because they operate at low current levels, will have low power requirements in a sensor module. GaN-based devices offer the advantage of the HEMT structure, high temperature operation, and simple integration with existing fabrication technology and sensing systems. Improvements in sensitivity, recoverability, and reliability are presented. Also reported are demonstrations of detection of other gases, including CO2 and C2H4 using functionalized GaN HEMTs. This is critical for the development of lab-on-a-chip type systems and can provide a significant advance towards a market-ready sensor application.
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