Thermally activated crystallization of Nb2O5 grown on Pt electrode
Thermally activated crystallization of Nb2O5 grown on Pt electrode
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Pt 电极上生长的 Nb2O5 的热激活结晶
DOI：
10.1007/s00339-012-6905-7
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Rafaja
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Berger;H. Mähne;V. Klemm;A. Leuteritz;T. Mikolajick;D. Rafaja
用X射线衍射、X射线反射率和透射电镜研究了多晶铂底电极在快速热退火过程中局部晶向对五氧化二铌薄膜晶化的影响。所研究的Nb 2 O 5薄膜是在O2/Ar混合气氛中反应溅射的，随后在氩气气氛中在500 ℃至700 ℃的温度范围内进行退火。X射线衍射证实了在500 ° C到600 ° C之间的温度下，从无定形氧化铌到晶体正交Nb 2 O 5的转变。X射线反射率测量表明，晶化过程伴随着Nb 2 O 5中电子密度的持续增加和700 ℃下表面粗糙度的快速增加。通过透射电子显微镜进一步观察到，Nb 2 O 5选择性地结晶，并且Nb 2 O 5的晶畴与来自底部电极的铂具有强的取向关系。取向关系被认为是最有利于Nb_2O_5晶化的取向关系。
The influence of the local crystallographic orientation of the polycrystalline bottom platinum electrode on the crystallization of niobium pentoxide thin films during their rapid thermal annealing was investigated by X-ray diffraction, X-ray reflectivity and transmission electron microscopy. The Nb2O5thin films under study were reactively sputtered in a mixed O2/Ar atmosphere and subsequently subjected to the annealing in argon atmosphere at temperatures ranging from 500∘C to 700∘C. The X-ray diffraction confirmed a transition from the amorphous niobium oxide to the crystalline orthorhombic Nb2O5for temperatures between 500∘C and 600∘C. The X-ray reflectivity measurements showed that the crystallization process was accompanied by a continuous increase of the electron density in Nb2O5and by a rapid increase of the surface roughness at 700∘C. It was further observed by transmission electron microscopy that Nb2O5crystallizes selectively and that the crystalline domains of Nb2O5possess a strong orientation relationship to the platinum from the bottom electrode. The orientation relationshipwas identified as the most beneficial one for crystallization of Nb2O5.
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