Fabrication of ordered single-crystalline CuInSe2 nanowire arrays
Fabrication of ordered single-crystalline CuInSe2 nanowire arrays
复制标题
有序单晶 CuInSe2 纳米线阵列的制造
DOI：
10.1039/c002638g
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发表时间：
2010-10
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Li, Quan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi, Liang;Pei, Congjian;Li, Quan
使用多孔阳极氧化铝 (AAO) 作为硬模板，通过便捷的一步解决方案制备了黄铜矿 CuInSe2 纳米线阵列。所制备的高度取向的 CuInSe2 纳米线是均匀的单晶，具有 [112] 生长方向。 CuInSe2 纳米线的直径是可调的，并且由 AAO 模板中的孔径大小决定。利用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱、扫描电子显微镜和紫外-可见光谱对所制备的CuInSe2样品的结构、形貌、成分和光吸收性能进行了表征。提出了 CuInS2 阵列的可能形成机制。据信反应过程中 AAO 孔内发生均匀成核，并导致单晶 CuInSe2 纳米线的形成。
Chalcopyrite CuInSe2 nanowire arrays have been prepared via a convenient one-step solution approach using porous anodic aluminium oxide (AAO) as a hard template. The as-prepared highly oriented CuInSe2 nanowires are uniform and single crystalline with a [112] growth direction. The diameter of the CuInSe2 nanowires is tunable and determined by the pore size in the AAO template. The structure, morphology, composition and optical absorption properties of the as-prepared CuInSe2 samples were characterized using X-ray powder diffraction, transmission electron microscopy, energy dispersive X-ray spectrometry, scanning electron microscopy and UV–Vis spectroscopy. A possible formation mechanism of the CuInS2 arrays is proposed. Homogeneous nucleation is believed to occur within AAO pores during the reaction and lead to the formation of single crystalline CuInSe2 nanowires.
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