250 V Thin-Layer SOI Technology With Field pLDMOS for High-Voltage Switching IC
250 V Thin-Layer SOI Technology With Field pLDMOS for High-Voltage Switching IC
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适用于高压开关 IC 的具有现场 pLDMOS 的 250 V 薄层 SOI 技术
DOI：
10.1109/ted.2015.2421292
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发表时间：
2015-04
影响因子：
3.1
通讯作者：
Li Zhaoji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qiao Ming;Zhang Kang;Zhou Xin;Zou Jie;Zhang Bo;Li Zhaoji
提出了一种基于1.5 μ m厚SOI层的250 V高压开关集成电路薄层SOI工艺。高压薄层绝缘体上硅（SOI）场p沟道LDMOS（pLDMOS），厚栅氧化层，SOI RESURF n沟道LDMOS（nLDMOS），
A 250 V thin-layer SOI technology based on a 1.5-μm-thick SOI layer is developed for high-voltage (HV) switching IC. HV thin-layer silicon on insulator (SOI) field p-channel LDMOS (pLDMOS) with thick gate oxide layer, SOI RESURF n-channel LDMOS (nLDMOS) w
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影响因子：
3.1
作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
通讯作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
DOI：
10.1109/bipol.2007.4351842
发表时间：
2007-10
期刊：
2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
--
作者：
F. Udrea
通讯作者：
F. Udrea
影响因子：
4.9
作者：
M. Qiao;Xin Zhou;Yitao He;Heng-juan Wen;Yuanyuan Zhao;Bo Zhang;Zhaoji Li
通讯作者：
M. Qiao;Xin Zhou;Yitao He;Heng-juan Wen;Yuanyuan Zhao;Bo Zhang;Zhaoji Li
DOI：
10.1016/j.microrel.2011.12.011
发表时间：
2012-03
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
I. Cortés;G. Toulon;F. Morancho;E. Hugonnard-Bruyere;B. Villard;W. Toren
通讯作者：
I. Cortés;G. Toulon;F. Morancho;E. Hugonnard-Bruyere;B. Villard;W. Toren
DOI：
10.1016/j.microrel.2004.08.007
发表时间：
2005
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
Weifeng Sun;Longxing Shi
通讯作者：
Weifeng Sun;Longxing Shi