Progressive failure site generation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors under OFF-state stress: Weibull statistics and temperature dependence
Progressive failure site generation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors under OFF-state stress: Weibull statistics and temperature dependence
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AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管在断态应力下的渐进失效点生成：威布尔统计和温度依赖性
DOI：
10.1063/1.4907261
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
Sun H
中科院分区：
文献类型：
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Sun H
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影响因子：
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