Formation of boron-doped silicon wires and control of dopant concentration using zinc, SiCl4 and BCl3
Formation of boron-doped silicon wires and control of dopant concentration using zinc, SiCl4 and BCl3
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使用锌、SiCl4 和 BCl3 形成硼掺杂硅线并控制掺杂剂浓度
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125796
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发表时间：
2020
影响因子：
1.8
通讯作者：
Inasawa Susumu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Taniguchi Ryunosuke;Inasawa Susumu
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