A Freestanding GaN/HfO_2 Membrane Grown by Molecular Beam Epitaxy for GaN-Si Hybrid MEMS
A Freestanding GaN/HfO_2 Membrane Grown by Molecular Beam Epitaxy for GaN-Si Hybrid MEMS
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用于 GaN-Si 混合 MEMS 的分子束外延生长的独立式 GaN/HfO_2 膜
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sameshima;M. Wakui;F. Hu;K. Hane
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图案化 Si (111) 衬底上横向生长的 GaN 层的微光致发光图
影响因子：
4
作者：
L. Macht;P. Hageman;S. Haffouz;P. Larsen
通讯作者：
P. Larsen
用于制造基于 GaN 的 MEMS 的图案化硅上 GaN (GPS) 技术
影响因子：
4.6
作者：
Zhenchuan Yang;Ruonan Wang;Deliang Wang;Baoshun Zhang;K. Lau;K. J. Chen
通讯作者：
K. J. Chen
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影响因子：
3.5
作者：
A. R. Phani;M. Passacantando;S. Santucci
通讯作者：
S. Santucci
用于亚波长光学 MEMS 的 Si 衬底上的 GaN 薄膜生长
DOI：
10.1109/sensor.2005.1496634
发表时间：
2005
期刊：
The 13th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 2005. Digest of Technical Papers. TRANSDUCERS '05.
影响因子：
--
作者：
F. Hu;K. Ochi;B. Choi;Y. Kanamori;K. Hane
通讯作者：
K. Hane
影响因子：
1.8
作者：
F. Hu;H. Sameshima;M. Wakui;R. Ito;K. Hane
通讯作者：
F. Hu;H. Sameshima;M. Wakui;R. Ito;K. Hane