Spin Polarization of Electrons Injected from Fe into GaAs Quantum Well Characterized using Oblique Hanle Effect
Spin Polarization of Electrons Injected from Fe into GaAs Quantum Well Characterized using Oblique Hanle Effect
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使用斜汉勒效应很好地表征了从 Fe 注入 GaAs 量子中的电子的自旋极化
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E.Wada;M.Itoh;T.Taniyama;Y.Yamaguchi
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不同 AlxGa1−xAs 矩阵中嵌入 InAs 量子点的样品中汉勒效应测量的自旋寿命
DOI：
10.1088/0268-1242/20/2/019
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Fürst;H. Pascher;V. A. Abalmassov;T. Shamirzaev;K. Zhuravlev
通讯作者：
K. Zhuravlev
影响因子：
4
作者：
Li, CH;Kioseoglou, G;Petrou, A
通讯作者：
Petrou, A
优化 1.3 μm InAs/GaAs 量子点的生长
影响因子：
3.7
作者：
P. Joyce;T. J. Krzyzewski;G. Bell;T. Jones;E. Ru;R. Murray
通讯作者：
R. Murray
InAs 自组装量子点自旋寿命的汉勒效应测量
影响因子：
4
作者：
R. Epstein;D. Fuchs;W. Schoenfeld;Pierre Petroff;D. Awschalom
通讯作者：
D. Awschalom
掺杂分布和生长后退火对 Fe 自旋注入 (Al,Ga)As 异质结构的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Adelmann;J. Q. Xie;C. Palmstrøm;J. Strand;X. Lou;Jianping Wang;P. Crowell
通讯作者：
P. Crowell