Temperature dependence of gain and excess noise in InAs electron avalanche photodiodes.
Temperature dependence of gain and excess noise in InAs electron avalanche photodiodes.
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InAs 电子雪崩光电二极管增益和过量噪声的温度依赖性。
DOI：
10.1364/oe.20.029568
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Ker PJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ker PJ
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通讯作者：
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