Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiNx interlayer
Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiNx interlayer
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通过使用梯度 AlGaN 缓冲层和 SiNx 中间层，显着降低了在 SiC 衬底上生长的 GaN 薄膜的面内拉伸应力
DOI：
10.1016/j.spmi.2018.08.020
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发表时间：
2018-10
影响因子：
3.1
通讯作者：
Guotong Du
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gaoqiang Deng;Yuantao Zhang;Ye Yu;Zhen Huang;Xu Han;Liang Chen;Long Yan;Pengchong Li;Xin Dong;Degang Zhao;Guotong Du
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DOI：
10.1007/s10854-015-3948-5
发表时间：
2016-02
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
Zhen Huang;Yuantao Zhang;Baijun Zhao;Fan Yang;Junyan Jiang;Gaoqiang Deng;Baozhu Li;H. Liang
通讯作者：
Zhen Huang;Yuantao Zhang;Baijun Zhao;Fan Yang;Junyan Jiang;Gaoqiang Deng;Baozhu Li;H. Liang
原位SiNx中间层在SiC上生长GaN的外延质量和应力状态的改善
DOI：
10.1007/s10854-016-5071-7
发表时间：
2016-06
影响因子：
2.8
作者：
Chang, Yuchun;Song, Junfeng;Zhang, Baolin;Du, Guotong
通讯作者：
Du, Guotong
DOI：
10.1002/1521-396x(200207)192:1
发表时间：
2002-07
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Horie;Yoshiyuki Ishihara;J. Yamamoto;M. Kurimoto;T. Takano;H. Kawanishi
通讯作者：
M. Horie;Yoshiyuki Ishihara;J. Yamamoto;M. Kurimoto;T. Takano;H. Kawanishi
影响因子：
4.9
作者：
H. Yoon;B. Min;Jong min Lee;D. Kang;H. Ahn;Hae-cheon Kim;Jong-Won Lim
通讯作者：
H. Yoon;B. Min;Jong min Lee;D. Kang;H. Ahn;Hae-cheon Kim;Jong-Won Lim
以光致发光为特征的 InGaN/GaN 蓝色激光二极管的不对称量子阱退化
影响因子：
4
作者：
Wen Pengyan;Liu Jianping;Zhang Shuming;Zhang Liqun;Ikeda Masao;Li Deyao;Tian Aiqin;Zhang Feng;Cheng Yang;Zhou Wei;Yang Hui
通讯作者：
Yang Hui